EDB5432BEBH-1DAUT-FR TR

Mémoire mobile Micron EDB5432BEBH-1DAUT-FR TR - SDRAM LPDDR2 512 Mbit

La mémoire EDB5432BEBH-1DAUT-FR TR de Micron Technology est une mémoire SDRAM LPDDR2 mobile haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications automobiles et embarquées exigeant des solutions de mémoire fiables et basse consommation. Ce circuit intégré de mémoire de qualité automobile présente une architecture 16 Mbits x 32 avec une interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 533 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Fiabilité de qualité automobile : une plage de températures étendue (-40 °C à 125 °C) garantit un fonctionnement stable dans les environnements automobiles difficiles.
• Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR2, avec une tension d'alimentation de 1,14 V à 1,95 V, optimise l'efficacité énergétique des systèmes mobiles et embarqués.
• Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 533 MHz assure un accès rapide aux données pour les applications exigeantes.
• Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Traçabilité complète : Emballage en bande et bobine avec documentation complète du fabricant et garantie d'authenticité

Applications idéales

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), les systèmes de contrôle industriels, les plateformes informatiques embarquées et autres applications nécessitant une mémoire DRAM mobile fiable avec une plage de températures de prise en charge étendue.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé : Nous fournissons exclusivement des composants Micron authentiques, avec traçabilité complète du fabricant, documentation et assistance technique à long terme. Tous nos produits sont conformes à la directive RoHS et bénéficient de notre garantie d’authenticité.

• EDB5432BEBH-1DAUT-FR TR.pdf