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EM639165TS-5G
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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EM639165TS-5G - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La mémoire EM639165TS-5G d'Etron Technology est une DRAM synchrone (SDRAM) haut de gamme de 128 Mbits conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Dotée d'une architecture mémoire 8M x 16 et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz, cette puce mémoire à interface parallèle offre des performances fiables pour les systèmes à forte intensité de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 4,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 8 M x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier standard de l'industrie : boîtier CMS 54-TSOP II pour une intégration fiable sur circuit imprimé
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un débit maximal dans les systèmes embarqués
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Cette mémoire SDRAM est idéale pour les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et les passerelles IoT nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un support de cycle de vie éprouvé.
Approvisionnement authentique et assurance qualité
Chez HQICKEY , nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants mémoire Etron, avec une traçabilité complète et un suivi tout au long de leur cycle de vie. Chaque EM639165TS-5G est livrée avec la documentation du fabricant et les certificats de qualité.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 4,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
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