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EM63A165TS-5G
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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EM63A165TS-5G - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
La mémoire EM63A165TS-5G d'Etron Technology est une DRAM synchrone (SDRAM) de 256 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès rapide de 4,5 ns, ce qui la rend idéale pour les opérations gourmandes en données nécessitant des cycles de lecture/écriture rapides.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 4,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Organisation de la mémoire flexible : configuration 16 M x 16 optimisée pour la gestion parallèle des données
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et tolérance de température de 0 °C à 70 °C
- Boîtier standard de l'industrie : boîtier CMS 54-TSOP II pour une intégration fiable sur circuit imprimé
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
La mémoire SDRAM EM63A165TS-5G est conçue pour les applications critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales. Elle est couramment utilisée dans les contrôleurs d'automatisation industrielle, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques embarquées. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa fiabilité éprouvée la rendent adaptée aux environnements difficiles.
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Informations sur la commande
Le module EM63A165TS-5G est disponible en conditionnement bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés. Contactez notre équipe technique pour obtenir des tarifs dégressifs, les délais de livraison et des recommandations spécifiques à votre application.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 4,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
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