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EM63A165TS-5IG
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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EM63A165TS-5IG - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
La mémoire EM63A165TS-5IG d'Etron Technology est une DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 256 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Grâce à son architecture 16M x 16 et sa fréquence d'horloge de 200 MHz, ce circuit intégré offre des performances exceptionnelles pour les opérations nécessitant un traitement intensif de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 4,5 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Plage de fonctionnement robuste : Sa plage de températures de qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) la rend idéale pour les environnements difficiles.
- Alimentation flexible : la plage de tension de 3 V à 3,6 V assure la compatibilité avec diverses architectures système.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 54-TSOP II optimise l’espace sur la carte tout en conservant d’excellentes caractéristiques thermiques.
- Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs embarqués
Applications idéales
Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs médicaux et aux systèmes informatiques embarqués où une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée sont essentielles.
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Chez HQICKEY, nous garantissons des composants 100 % authentiques, un support technique complet et une disponibilité tout au long de leur cycle de vie. Notre réseau de distribution mondial assure des livraisons fiables pour les productions à grande échelle, et notre équipe d'ingénieurs vous accompagne dans l'intégration de vos systèmes.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 4,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
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