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EM68B08CWAH-25IH
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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EM68B08CWAH-25IH - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance
La mémoire EM68B08CWAH-25IH d'Etron Technology offre des performances fiables de 512 Mbits DDR2 SDRAM pour les applications critiques des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et des systèmes embarqués. Conçue pour les environnements exigeants et fonctionnant dans une plage de températures étendue de -40 °C à 95 °C, cette puce mémoire garantit des performances constantes là où la fiabilité est primordiale.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de 512 Mbits : l'organisation de la mémoire en 64 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les applications gourmandes en données.
- Fonctionnement à haute vitesse : fréquence d’horloge de 400 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 400 ps.
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 95 °C (TC) pour les environnements industriels difficiles
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour des conceptions écoénergétiques
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 60-TFBGA (8x10) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Idéal pour l'avionique aérospatiale, les systèmes de contrôle automobile, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, l'infrastructure des télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire haute fiabilité avec une traçabilité complète.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
| RoHS |  |
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