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Etron Technology, Inc.

EM6A9160TSC-4G

Prix habituel €1,95
Prix habituel Prix promotionnel €1,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
N+ €0,29 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Présentation du produit

La mémoire EM6A9160TSC-4G d'Etron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 128 Mbits conçu pour les applications embarquées, industrielles et IoT. Doté d'une architecture 8M x 16 et d'une fréquence d'horloge de 250 MHz, ce composant de mémoire volatile offre des performances fiables même dans les environnements les plus exigeants.

Caractéristiques principales

  • Capacité mémoire : 128 Mbits de mémoire SDRAM DDR avec une organisation de 8M x 16
  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 250 MHz avec un temps d’accès de 700 ps
  • Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C (TA) pour un fonctionnement fiable
  • Boîtier compact : boîtier de montage en surface 66-TSOP II (largeur de 10,16 mm)
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour une efficacité énergétique optimale.
  • Cycle d'écriture rapide : temps de cycle d'écriture de 12 ns pour un traitement rapide des données

Applications

Cette mémoire DDR SDRAM est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de réseau et les appareils IoT nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une connectivité d'interface parallèle.

Spécifications techniques

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Ressources et assistance techniques

Consultez notre blog technique pour accéder à des notes d'application, des guides de conception et les dernières informations sur l'industrie des semi-conducteurs afin d'optimiser vos conceptions.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Etron Technology, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8M x 16
Fréquence d'horloge 250 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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