EM6A9160TSC-4IG

Présentation du produit

L' EM6A9160TSC-4IG est une puce mémoire SDRAM DDR 128 Mbit hautes performances d' Etron Technology, Inc. , conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire rapide et fiable. Avec une fréquence d'horloge de 250 MHz et une organisation 8M x 16, cette DRAM volatile offre un débit de données exceptionnel dans un boîtier compact TSOP II 66 pour montage en surface.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 250 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les applications automobiles, le contrôle industriel et les environnements difficiles.
• Efficacité énergétique optimisée : une tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant les performances.
• Architecture mémoire flexible : la configuration d'interface parallèle 8M x 16 offre des options d'intégration polyvalentes
• Conception compacte : le boîtier CMS 66-TSSOP (largeur de 10,16 mm) minimise l’encombrement sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications typiques

Cette mémoire DDR SDRAM est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques de périphérie IoT où une mémoire volatile fiable et à haute vitesse est essentielle.

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