EM6AA160BKE-4H

EM6AA160BKE-4H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR EM6AA160BKE-4H d'Etron Technology est une mémoire haute performance de 256 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire rapides et fiables. Ce composant authentique présente une architecture 16M x 16 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 250 MHz pour les applications temps réel les plus exigeantes.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 250 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les systèmes embarqués critiques en termes de temps.
• Configuration mémoire optimale : capacité de 256 Mbits organisée en 16 Mbits x 16, idéale pour les conceptions basées sur microcontrôleur et FPGA
• Fiabilité de qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) adaptée aux équipements de contrôle et d’automatisation industriels.
• Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V réduit la consommation d’énergie dans les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 60-TFBGA (8 x 13 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications techniques

Cette mémoire DDR SDRAM est parfaitement adaptée aux plateformes informatiques embarquées, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux infrastructures de télécommunications où la disponibilité sur un long cycle de vie et l'authenticité des composants sont essentielles.

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Ressources connexes

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