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EM6AA160TSE-4G
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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EM6AA160TSE-4G - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR EM6AA160TSE-4G d'Etron Technology est une solution haute performance conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Doté d'une architecture mémoire 16M x 16 et fonctionnant à une fréquence d'horloge de 250 MHz, ce circuit de mémoire volatile offre des temps d'accès rapides (700 ps) et une fiabilité optimale sur une large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 70 °C).
Conditionné en boîtier compact 66-TSOP II pour montage en surface et en bobine, le circuit intégré EM6AA160TSE-4G est idéal pour les applications à espace restreint nécessitant une interface mémoire parallèle et un fonctionnement basse tension (2,3 V à 2,7 V). Conforme à la directive RoHS, ce composant garantit le respect des normes environnementales tout en assurant une fiabilité exceptionnelle pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages :
- Mémoire SDRAM DDR 256 Mbit - Capacité de mémoire suffisante pour les applications complexes
- Fréquence d'horloge de 250 MHz - Débit de données rapide pour les tâches exigeantes en performances
- Temps d'accès de 700 ps - Accès mémoire ultra-rapide pour des systèmes réactifs
- Fonctionnement à basse tension – Alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour une efficacité énergétique optimale
- Plage de températures étendue : fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements industriels
- Boîtier compact 66-TSOP II - Conception à montage en surface peu encombrante
- Conforme à la norme RoHS - Respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation
Spécifications techniques
Applications
Le EM6AA160TSE-4G est parfaitement adapté pour :
- Systèmes embarqués et contrôleurs
- équipement d'automatisation industrielle
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
- Infrastructure de réseau et de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 250 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
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