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EM6AA160TSE-4IG
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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EM6AA160TSE-4IG - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
La mémoire intégrée EM6AA160TSE-4IG d'Etron Technology est un circuit intégré SDRAM DDR 256 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Grâce à son architecture 16M x 16 et sa fréquence d'horloge de 250 MHz, cette mémoire DRAM volatile offre des performances exceptionnelles pour les applications les plus exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 250 MHz et un temps d’accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 M x 16 pour une intégration système flexible
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour des conceptions écoénergétiques
- Boîtier CMS : boîtier 66-TSOP II pour l’assemblage automatisé et les circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire DDR SDRAM est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de réseau, à l'électronique automobile et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un fonctionnement à température étendue.
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Spécifications techniques complètes
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 250 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
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