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Etron Technology, Inc.

EM6GC08EWUG-10H

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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Etron EM6GC08EWUG-10H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 1 Gbit haute performance

La mémoire EM6GC08EWUG-10H d'Etron Technology offre des performances fiables de 1 Gbit DDR3 SDRAM pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire de 128 Mbits x 8 et d'une fréquence d'horloge de 933 MHz, cette puce mémoire garantit un accès rapide aux données avec un temps d'accès de 20 ns et un temps de cycle d'écriture de 15 ns. Logée dans un boîtier CMS compact 78 VFBGA, elle fonctionne sur une large plage de températures (0 °C à 95 °C) avec une tension d'alimentation de 1,425 V à 1,575 V. Conforme à la directive RoHS et bénéficiant d'une longue durée de vie, ce composant authentique assure la continuité de la production pour les OEM et les intégrateurs de systèmes du monde entier.

Ressources connexes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Etron Technology, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 933 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,425 V ~ 1,575 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-FBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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