EM6GC08EWUG-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6GC08EWUG-10H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 1 Gbit haute performance
La mémoire EM6GC08EWUG-10H d'Etron Technology offre des performances fiables de 1 Gbit DDR3 SDRAM pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire de 128 Mbits x 8 et d'une fréquence d'horloge de 933 MHz, cette puce mémoire garantit un accès rapide aux données avec un temps d'accès de 20 ns et un temps de cycle d'écriture de 15 ns. Logée dans un boîtier CMS compact 78 VFBGA, elle fonctionne sur une large plage de températures (0 °C à 95 °C) avec une tension d'alimentation de 1,425 V à 1,575 V. Conforme à la directive RoHS et bénéficiant d'une longue durée de vie, ce composant authentique assure la continuité de la production pour les OEM et les intégrateurs de systèmes du monde entier.
Ressources connexes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-FBGA (8x10,5) |
| RoHS |
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