EM6GD08EWAHH-10IH

Etron EM6GD08EWAHH-10IH Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance 2 Gbit

La mémoire EM6GD08EWAHH-10IH d'Etron Technology est une solution SDRAM DDR3 haut de gamme conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Ce circuit intégré mémoire de 2 Gbit offre une capacité de stockage de données robuste grâce à son architecture 256 Mbits x 8, ce qui le rend idéal pour les systèmes industriels, automobiles, de télécommunications et embarqués.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 933 MHz, un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 20 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
• Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 95 °C TC) garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.
• Efficacité énergétique optimisée : la plage de tension d’alimentation de 1,425 V à 1,575 V assure un équilibre entre performances et consommation d’énergie.
• Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 78-VFBGA (7,5 x 10,5 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts pour l’électronique moderne.
• Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement répond aux normes réglementaires internationales.
• Interface parallèle : la technologie DDR3 SDRAM éprouvée garantit une large compatibilité et une intégration aisée.

Applications idéales

Ce composant de mémoire haute fiabilité excelle dans les domaines de l'avionique aérospatiale, des systèmes de contrôle automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux, des infrastructures de télécommunications et des plateformes informatiques embarquées où l'intégrité des données et des performances constantes sont non négociables.

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Spécifications techniques

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