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Etron Technology, Inc.

EM6GD08EWUF-10H

Prix habituel €2,95
Prix habituel Prix promotionnel €2,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
N+ €0,44 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Etron EM6GD08EWUF-10H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance

La mémoire intégrée EM6GD08EWUF-10H d'Etron Technology est un circuit intégré SDRAM DDR3 2 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications industrielles, automobiles et systèmes embarqués exigeantes. Cette solution mémoire avancée offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 933 MHz et une organisation mémoire de 256 Mo x 8, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un accès rapide aux données et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 933 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Architecture mémoire optimisée : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8 offrant une configuration mémoire flexible
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC), convient aux environnements industriels
  • Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle avec technologie DDR3 SDRAM pour une large compatibilité
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 78-TFBGA (8 x 10,5 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Le module EM6GD08EWUF-10H est conçu pour les applications critiques, notamment :

  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Équipements médicaux et dispositifs de diagnostic
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense
  • Plateformes informatiques à haute fiabilité

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Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Etron Technology, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 933 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,425 V ~ 1,575 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-FBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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