EM6GD08EWUF-10IH

EM6GD08EWUF-10IH - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance

La mémoire EM6GD08EWUF-10IH d'Etron Technology est une solution SDRAM DDR3 haut de gamme conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Ce circuit intégré mémoire de 2 Gbit offre une capacité de stockage de données robuste grâce à son architecture 256 Mbits x 8, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 933 MHz, un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 20 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
• Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures de fonctionnement étendue de -40 °C à 95 °C (TC) garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles.
• Efficacité énergétique optimisée : une tension d’alimentation de 1,425 V à 1,575 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant les performances.
• Conception compacte : le boîtier CMS 78-TFBGA (8 x 10,5 mm) optimise la densité de la carte
• Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les architectures système existantes.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Le EM6GD08EWUF-10IH est spécialement conçu pour les applications à haute fiabilité, notamment :

• Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
• Plateformes ADAS et d'infodivertissement pour l'automobile
• Automatisation industrielle et contrôle des processus
• Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
• Stations de base de télécommunications et infrastructure de réseau
• Systèmes militaires et de défense

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