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EM6GE16EWAKG-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6GE16EWAKG-10H - Mémoire SDRAM DDR3 haute performance
La mémoire SDRAM DDR3 EM6GE16EWAKG-10H d'Etron Technology est une solution haute fiabilité de 4 Gbits conçue pour les applications exigeantes nécessitant un accès rapide aux données et un fonctionnement à température étendue. Avec une fréquence d'horloge de 933 MHz et une organisation de 256 Mbits x 16, ce composant mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et embarqués.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps d’accès de 20 ns et un temps de cycle d’écriture de 15 ns.
- Grande capacité : mémoire de 4 Gbit organisée en 256 Mo x 16.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC)
- Boîtier compact pour montage en surface : 96-TFBGA (7,5 x 13,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
- Interface parallèle : interface SDRAM DDR3 standard pour une intégration facile
- Conditionnement pratique : Disponible en bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications
Idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les équipements de contrôle industriel, les infrastructures de télécommunications, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques embarquées nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications peuvent être modifiées sans préavis. Veuillez vérifier les spécifications actuelles auprès du fabricant avant de finaliser votre conception.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 96-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 96-FBGA (7,5 x 13,5) |
| RoHS |  |
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