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EM6GE16EWXD-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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EM6GE16EWXD-10H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance
La mémoire intégrée EM6GE16EWXD-10H d'Etron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 4 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes dans les secteurs industriel, automobile, des télécommunications et des systèmes embarqués. Dotée d'une organisation mémoire de 256 Mbits x 16 et fonctionnant à 933 MHz, cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles et une faible consommation d'énergie.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns.
- Densité de mémoire optimale : capacité de 4 Gbit dans un boîtier compact à montage en surface 96-FBGA (9x13).
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC) avec une tension d’alimentation de 1,425 V à 1,575 V.
- Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle pour une intégration transparente
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
- Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
Applications idéales
Cette mémoire DDR3 SDRAM est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux équipements de contrôle industriel, aux infrastructures de télécommunications, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant une prise en charge à long terme et une fiabilité éprouvée.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir la technologie Etron ?
En tant que distributeur agréé des composants Etron Technology, nous fournissons des pièces d'origine avec une traçabilité complète, un support technique et un engagement sur le long terme. Chaque composant bénéficie de notre assurance qualité et de notre service d'expédition international.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 96-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 96-FBGA (9x13) |
| RoHS |  |
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