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EM6HD08EWUF-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6HD08EWUF-10H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L haute performance
La mémoire EM6HD08EWUF-10H d'Etron Technology est une mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et de l'informatique embarquée. Ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 933 MHz et un fonctionnement basse tension (1,283 V à 1,45 V), ce qui le rend idéal pour les applications à faible consommation.
Principales caractéristiques et avantages :
- Mémoire haute densité : une capacité de 2 Gbit avec une organisation de 256 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 933 MHz et un temps d'accès de 20 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Faible consommation d'énergie : la technologie DDR3L fonctionne à une tension de 1,283 V à 1,45 V, réduisant ainsi la consommation d'énergie.
- Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC) pour les environnements industriels
- Boîtier compact : le boîtier CMS 78-TFBGA (8 x 10,5 mm) permet un gain de place sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications :
Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques haute fiabilité où la performance et la durabilité sont essentielles.
Spécifications techniques :
Ressources connexes :
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-FBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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