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EM6HD08EWUF-10IH
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6HD08EWUF-10IH - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L haute performance
La mémoire SDRAM DDR3L EM6HD08EWUF-10IH d'Etron Technology est un composant haute fiabilité de 2 Gbits conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) dispose d'une architecture 256M x 8 et d'une fréquence d'horloge de 933 MHz, offrant des performances exceptionnelles dans un boîtier FBGA 78 broches compact.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns.
- Faible consommation d'énergie : Technologie DDR3L avec une tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Plage de températures étendue : Température de fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 95 °C (TC) pour les environnements difficiles
- Emballage souple : disponible en bande coupée (CT) et en bande et bobine (TR) pour l’assemblage automatisé
- Format compact : boîtier 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux infrastructures de télécommunications et aux dispositifs médicaux nécessitant un support à long terme et une traçabilité garantie.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?
En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un accompagnement à la gestion du cycle de vie et des ressources techniques pour l'intégration. Notre réseau de transport mondial garantit une livraison fiable et une manutention adaptée aux composants semi-conducteurs sensibles.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-FBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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