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EM6HE08EW3F-12H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6HE08EW3F-12H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 4 Gbit EM6HE08EW3F-12H d'Etron Technology est conçu pour les applications industrielles et embarquées exigeantes. Doté d'une architecture mémoire 512 Mbits x 8 et fonctionnant à 800 MHz, ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles et une faible consommation d'énergie (tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V).
Principales caractéristiques et avantages
- Haute capacité : mémoire de 4 Gbit dans un format compact 78-FBGA
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 800 MHz avec un temps d’accès de 20 ns
- Faible consommation d'énergie : la technologie DDR3L réduit la consommation d'énergie pour des conceptions écoénergétiques.
- Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC)
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
- Qualité industrielle : Conçu pour une fiabilité à long terme dans les applications critiques
Applications
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux, le matériel de réseau et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir Etron Technology ? Distributeur agréé, nous fournissons des composants semi-conducteurs Etron authentiques, avec une traçabilité complète, un support technique et des prix compétitifs. Tous nos produits bénéficient de la garantie constructeur et proviennent de circuits de distribution officiels.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 800 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-FBGA (9x10,6) |
| RoHS |  |
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