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EM6HE16EWXD-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6HE16EWXD-10H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 4 Gbit EM6HE16EWXD-10H d'Etron Technology est conçu pour les applications exigeantes nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides. Avec une organisation mémoire de 256 Mbits x 16 et une fréquence d'horloge de 933 MHz, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications et embarqués.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns.
- Grande capacité : mémoire de 4 Gbit organisée en 256 Mo x 16.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC)
- Interface standard du secteur : interface mémoire parallèle pour une intégration facile
- Boîtier compact : boîtier de montage en surface 96-TFBGA (9 x 13 mm)
- Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications, des dispositifs médicaux et autres applications nécessitant une mémoire rapide et fiable avec une prise en charge étendue du cycle de vie et une traçabilité complète.
Distributeur agréé - Composants Etron authentiques avec garantie constructeur complète et assistance technique.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 96-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 96-FBGA (9x13) |
| RoHS |  |
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