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Cypress Semiconductor Corp

FM24CL04B-G

Prix habituel €1,95
Prix habituel Prix promotionnel €1,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

FM24CL04B-G - Circuit intégré de mémoire F-RAM 4 Kbits hautes performances

La mémoire vive ferroélectrique FM24CL04B-G de Cypress Semiconductor est une mémoire de pointe de 4 Kbits (512 x 8) conçue pour les applications exigeant un stockage de données rapide et non volatil, avec une endurance en écriture quasi illimitée. Cette solution mémoire avancée combine la vitesse de la SRAM et la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les systèmes de contrôle industriels, les compteurs intelligents, les dispositifs médicaux et les applications embarquées où l'intégrité et la fiabilité des données sont essentielles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 550 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
  • Interface I2C standard : la fréquence d'horloge de 1 MHz permet une intégration transparente avec les microcontrôleurs.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
  • Endurance quasi illimitée : la technologie F-RAM prend en charge 10^14 cycles de lecture/écriture
  • Écritures non volatiles instantanées : aucun délai d’écriture ni batterie de secours requis
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier SOIC à 8 broches permet de gagner un espace précieux sur la carte.

Spécifications techniques

Applications

Le FM24CL04B-G est parfaitement adapté pour :

  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Compteurs d'énergie intelligents et surveillance des services publics
  • Instrumentation médicale et surveillance des patients
  • Électronique automobile et enregistreurs de données (boîtes noires)
  • Infrastructure réseau et télécommunications
  • Systèmes d'enregistrement de données et d'événements
  • stockage des données de configuration et d'étalonnage

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Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire, incluant les technologies SRAM, DRAM, Flash et F-RAM, pour répondre à vos besoins de conception.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Cypress Semiconductor Corp
Gamme de produits F-RAM™
Conditionnement En vrac |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 4Kbit
Organisation de la mémoire 512 x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 1 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 550 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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