FT24C512A-ESG-T
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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FT24C512A-ESG-T - Circuit intégré de mémoire EEPROM I2C de 512 kbits
La FT24C512A-ESG-T de Fremont Micro Devices est une puce mémoire EEPROM I2C haute performance de 512 kbits (64 Ko x 8) conçue pour le stockage fiable de données non volatiles dans les systèmes embarqués. Cette EEPROM à montage en surface présente une large plage de tensions de fonctionnement, de 1,8 V à 5,5 V, ce qui la rend idéale pour les applications alimentées par batterie et basse consommation.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 512 Kbits : l’organisation en 64 K x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d’étalonnage et les journaux système.
- Interface I2C : Interface série à deux fils standard fonctionnant à 1 MHz pour une intégration facile
- Large plage de tension : fonctionnement de 1,8 V à 5,5 V, compatible avec diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Cycle d'écriture rapide : temps d'écriture de page de 5 ms et temps d'accès de 900 ns pour des opérations de données efficaces.
- Boîtier compact : le boîtier CMS SOIC à 8 broches (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb
Applications
Idéal pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, l'électronique grand public, les objets connectés et toute application nécessitant un stockage fiable et non volatil des paramètres.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Fremont Micro Devices Ltd |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Taille de la mémoire | 512 kbits |
| Organisation de la mémoire | 64K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 1 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 5 ms |
| Temps d'accès | 900 ns |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |
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