GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B32EEAGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25B32EEAGR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR SPI GD25B32EEAGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haute fiabilité de 32 Mbits (4 Mo x 8) conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeantes. Cette mémoire Flash avancée dispose d'une interface SPI à quatre E/S pour un débit de données accru et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 125 °C, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, de l'IoT et des systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 32 Mbits organisée en 4 Mo x 8, offrant un espace suffisant pour le firmware, les données de configuration et le code applicatif.
- Interface E/S quadruple SPI rapide : prend en charge une interface périphérique série haute vitesse avec quatre E/S pour des opérations de lecture/écriture accélérées.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V assure la compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
- Boîtier compact pour montage en surface : 8-USON (3 x 2 mm) avec pastille exposée pour d’excellentes performances thermiques et des agencements de circuits imprimés peu encombrants.
- Technologie Flash NOR : l’architecture à cellule unique (SLC) offre une fiabilité et une endurance supérieures.
- Produit GigaDevice authentique : provenant directement de circuits de distribution autorisés, avec traçabilité complète et garantie de qualité.
Applications typiques
Ce composant de mémoire flash polyvalent est largement utilisé dans l'électronique automobile, les systèmes d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, l'électronique grand public, les compteurs intelligents et les plateformes informatiques embarquées où un stockage non volatil fiable est essentiel.
Spécifications techniques complètes
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Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
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