GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B32EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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La GD25B32EWIGR est une puce mémoire Flash NOR 32 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash avancée est dotée d'une interface SPI/Quad E/S pour des transferts de données rapides jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz, ce qui la rend idéale pour le stockage de firmware, l'enregistrement de données et l'exécution de code dans les systèmes à microcontrôleur.
Grâce à son boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) compact et à sa large plage de tension de fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V, le GD25B32EWIGR offre une excellente flexibilité pour les conceptions à espace restreint dans les secteurs de l'industrie, de l'automobile, de l'électronique grand public et de l'IoT. Ce composant fonctionne de manière fiable à des températures allant de -40 °C à 85 °C, garantissant ainsi des performances constantes même dans des environnements difficiles.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : la prise en charge des E/S SPI/Quad permet les modes de communication standard et haut débit.
- Stockage fiable : Technologie Flash NOR (SLC) avec une organisation 4M x 8 pour une conservation fiable des données
- Cycles d'écriture efficaces : des temps d'écriture de 70 µs par mot et de 2,4 ms par page optimisent l'efficacité de la programmation.
- Qualité industrielle : large plage de températures et conception robuste pour les applications critiques.
Spécifications techniques
Applications
Le GD25B32EWIGR est parfaitement adapté au stockage de firmware embarqué, au code BIOS/démarrage, au stockage de données de configuration, aux systèmes d'enregistrement de données, aux systèmes de contrôle industriels, à l'électronique automobile, aux appareils IoT grand public et aux plateformes technologiques portables.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |

GD25B32EWIGR.pdf