GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B512MEBIRY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25B512MEBIRY - Mémoire Flash NOR SPI 512 Mbit
La GigaDevice GD25B512MEBIRY est une mémoire Flash NOR SPI 512 Mbit hautes performances de la série GD25B, conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité exceptionnelle et un cycle de vie étendu. Cette mémoire Flash non volatile intègre des interfaces avancées Quad I/O, QPI et DTR fonctionnant à 133 MHz, offrant des performances de lecture/écriture rapides pour les systèmes embarqués les plus exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 512 Mbits (64 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et du code.
- Performances rapides : la fréquence d'horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR garantit un accès rapide aux données
- Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 85 °C et tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour les environnements difficiles.
- Technologie Flash NOR fiable : l’architecture SLC (Single-Level Cell) offre une endurance et une rétention des données supérieures.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 24 TFBGA (6 x 8 mm) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
- Conforme aux normes RoHS/REACH : Répond aux normes environnementales et réglementaires des marchés mondiaux
Applications idéales
Idéal pour l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant une disponibilité à long terme et une traçabilité complète.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |

GD25B512MEBIRY.pdf