GD25B512MEBJRY

GD25B512MEBJRY - Mémoire Flash NOR SPI 512 Mbit

Le GD25B512MEBJRY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 512 Mbit hautes performances, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette solution de mémoire non volatile fiable est dotée d'une interface SPI à quatre E/S avec prise en charge DTR et fonctionne à des vitesses allant jusqu'à 133 MHz.

Caractéristiques principales

• Grande capacité : organisation de la mémoire de 512 Mbit (64 Mo x 8).
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR
• Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 105 °C, tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
• Boîtier compact : boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm)
• Qualité industrielle : Technologie NAND SLC pour une fiabilité et une endurance accrues

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements médicaux et les infrastructures de télécommunications nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable et à longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes

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En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants GigaDevice authentiques avec une traçabilité complète, un support technique exhaustif et un engagement sur le long terme. Nos services à valeur ajoutée comprennent des ressources d'intégration, la livraison internationale et un support dédié pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, de télécommunications et médicales.

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