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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B512MEFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25B512MEFIRR - Mémoire Flash NOR SPI 512 Mbit
La GD25B512MEFIRR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR SPI haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeantes. Dotée d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, cette mémoire Flash non volatile offre un stockage de données fiable et des performances de lecture/écriture rapides sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Haute densité : capacité de stockage de 512 Mbits (64 Mo x 8) pour les micrologiciels complexes et l’enregistrement de données.
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR
- Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Plage de températures industrielles : de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité en environnement difficile
- Gain de place : boîtier de montage en surface SOIC 16 broches (largeur de 7,50 mm)
- Assistance longue durée : l’engagement de GigaDevice en matière de disponibilité prolongée des produits
Applications typiques
Idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et l'électronique grand public nécessitant un stockage non volatil fiable avec un accès rapide via une interface série.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont garanties par le fabricant. Fiche technique complète et engagement de cycle de vie disponibles sur demande.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
GD25B512MEFIRR.pdf