-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B512MEYJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
GD25B512MEYJGR - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 512 Mbits
La GD25B512MEYJGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire flash NOR série de 512 Mbits (64 Mo) haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et médical. Dotée d'interfaces Quad I/O et QPI avancées avec prise en charge DTR, cette mémoire offre des performances exceptionnelles jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 512 Mbit organisée en 64 Mbit x 8
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 105 °C pour les applications industrielles
- Alimentation flexible : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
- Encombrement réduit : Boîtier de montage en surface 8-WSON (6 x 8 mm) peu encombrant
- Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par une distribution et une traçabilité agréées
Spécifications techniques
Applications
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Électronique automobile
- Contrôle et automatisation industriels
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs médicaux
- IoT et systèmes embarqués
Pourquoi choisir ce composant ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants GigaDevice authentiques avec une traçabilité complète, un support technique étendu et des garanties de disponibilité à long terme. Chaque unité provient directement du fabricant et est accompagnée de sa documentation complète et de ses certifications de qualité.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD25B512MEYJGR.pdf