-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B512MFBIRY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
GD25B512MFBIRY - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 512 Mbit
Le GD25B512MFBIRY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 512 Mbit doté d'interfaces SPI Quad I/O et QPI. Conçue pour une fiabilité optimale dans les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications exigeantes, cette solution mémoire offre une fréquence d'horloge rapide de 133 MHz et une large plage de températures de fonctionnement (de -40 °C à 85 °C).
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : organisation de la mémoire de 512 Mbit (64 Mo x 8) pour une conservation étendue des données
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une compatibilité avec divers systèmes.
- Qualité industrielle : La plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long terme.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé : traçabilité complète, respect des spécifications du fabricant et garantie à long terme. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos délais de livraison et notre assistance technique.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 50 µs, 1 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.
