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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25B512MFYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GigaDevice GD25B512MFYIGR - Mémoire Flash SPI NOR 512 Mbit
La GD25B512MFYIGR est une mémoire Flash NOR haute performance de 512 Mbits (64 Mo) de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle est doté d'une interface Quad SPI avec prise en charge QPI, permettant des débits de transfert de données rapides jusqu'à 133 MHz pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et de l'électronique grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits (64 Mo x 8) pour un stockage important de code et de données.
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz et temps d’accès de 6 ns pour des opérations de lecture rapides.
- Interface flexible : modes SPI Quad E/S et QPI pour un débit optimisé
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Encombrement réduit : Boîtier de montage en surface 8-WSON (6 x 8 mm) peu encombrant
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications typiques
Idéal pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les équipements médicaux, le matériel de réseau et tout système embarqué nécessitant des capacités fiables de stockage de programmes et d'enregistrement de données avec un support à long terme.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont garanties par le fabricant. Contactez-nous pour obtenir les fiches techniques, les informations sur le cycle de vie et les tarifs dégressifs.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 50 µs, 1 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
| RoHS |  |
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