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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25F128FY2GR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25F128FY2GR - Circuit intégré de mémoire flash NOR de 128 Mb
Le GD25F128FY2GR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 mégabits, fabriqué par GigaDevice Semiconductor (HK) Limited. Ce composant semi-conducteur authentique est conçu pour les systèmes embarqués et les applications électroniques industrielles nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Composant GigaDevice authentique - Emballage scellé d'usine avec traçabilité complète et garantie de qualité
- Technologie Flash NOR - Accès aléatoire rapide et capacité d'exécution sur place (XIP) pour le stockage du code
- Capacité de mémoire de 128 Mo : espace de stockage suffisant pour le micrologiciel, le code de démarrage et les applications d’enregistrement de données.
- Conditionnement en bande et bobine - Format prêt pour la production, adapté à l'assemblage automatisé et à la fabrication en grande série
- Disponibilité tout au long du cycle de vie - Support fiable de la chaîne d'approvisionnement pour les projets des équipementiers et des intégrateurs de systèmes
- Fiabilité de niveau industriel - Conçu pour les environnements embarqués et industriels exigeants
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR est parfaitement adapté aux contrôleurs embarqués, aux appareils IoT, à l'électronique automobile, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de réseau et à toute application nécessitant une exécution de code et un stockage de données rapides et fiables.
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Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | - |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | - |
| Organisation de la mémoire | - |
| Interface mémoire | - |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | - |
| Emballage / Étui | - |
| Emballage du dispositif du fournisseur | - |
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