GD25F256FB2RY

Présentation du produit

Le GD25F256FB2RY est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 256 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçu pour les applications critiques exigeant un stockage non volatil fiable. Cette solution de mémoire Flash avancée offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et une interface SPI à quatre E/S, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le stockage du micrologiciel, des données et de la configuration.
• Performances rapides : la fréquence d'horloge de 200 MHz et l'interface SPI Quad E/S garantissent un accès et un transfert de données rapides.
• Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 105 °C et tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour les environnements difficiles.
• Encombrement réduit : le boîtier CMS 24 TFBGA (6x8) optimise l'espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
• Qualité industrielle : la technologie NOR Flash SLC offre une fiabilité et une endurance supérieures pour les applications critiques.

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire flash est conçu pour les applications exigeantes, notamment les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements médicaux et les infrastructures de télécommunications, où l'intégrité des données et la fiabilité à long terme sont primordiales.

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