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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25F256FYAGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD25F256FYAGR - Mémoire Flash NOR Quad SPI 256 Mbit
Le GD25F256FYAGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 256 Mbit hautes performances doté d'une interface SPI quadruple pour un transfert de données rapide jusqu'à 200 MHz. Conçu pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, médical et des télécommunications, ce composant offre une fiabilité exceptionnelle sur une large plage de températures allant de -40 °C à 125 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 200 MHz avec interface SPI à quatre E/S pour un accès rapide aux données
- Grande capacité : mémoire de 256 Mbit (32 Mo x 8) pour un stockage de données étendu.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 125 °C
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille exposée
- Qualité industrielle : Conçue pour une disponibilité tout au long du cycle de vie et une traçabilité complète.
- Conforme aux normes RoHS/REACH : Répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'informatique de périphérie IoT, le stockage de firmware, l'enregistrement de données et les applications de code de démarrage nécessitant une mémoire non volatile à haute fiabilité.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont soumises à la fiche technique du fabricant. La documentation complète relative à la traçabilité et à la conformité est disponible sur demande.
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25F |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
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