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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25F512MFYIGR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

GD25F512MFYIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR de 512 Mo

La GD25F512MFYIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR haute performance de 512 mégabits conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire offre un stockage non volatil fiable, avec d'excellentes caractéristiques de rétention des données et d'endurance.

Principales caractéristiques et avantages

  • Technologie Flash NOR 512 Mb : offre un accès aléatoire rapide et la capacité d’exécution sur place (XIP) pour le stockage et l’exécution du code.
  • Fiabilité de niveau industriel : Conçu pour les applications critiques nécessitant un support et une traçabilité tout au long du cycle de vie.
  • Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour les processus d'assemblage automatisés, garantissant une production à grand volume efficace
  • Qualité GigaDevice : Bénéficiez du soutien d’un fabricant de semi-conducteurs de confiance, reconnu pour son expertise en solutions de mémoire.
  • Large gamme d'applications : convient aux systèmes embarqués, aux appareils IoT, aux contrôleurs industriels, aux calculateurs automobiles et aux équipements médicaux.

Applications

Cette mémoire Flash NOR est idéale pour :

  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Dispositifs médicaux nécessitant l'enregistrement de données et le stockage de micrologiciels
  • équipement d'infrastructure de télécommunications
  • Appareils électroniques grand public nécessitant un stockage de code fiable
  • Conception de systèmes IoT et embarqués

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir GD25F512MFYIGR ?

Lorsque votre conception exige une mémoire Flash NOR fiable et à longue durée de vie, avec une traçabilité complète et un support constructeur, la GD25F512MFYIGR est la solution idéale. L'engagement de GigaDevice envers la qualité et sa vaste expérience dans les solutions de mémoire vous garantissent un composant répondant aux exigences rigoureuses des applications industrielles, automobiles et médicales.

Besoin de documentation technique ou d'aide à l'intégration ? Contactez-nous pour obtenir des fiches techniques, des notes d'application et une assistance technique afin d'intégrer ce circuit intégré de mémoire à votre prochain projet.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire -
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire -
Organisation de la mémoire -
Interface mémoire -
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation -
Température de fonctionnement -
Grade -
Qualification -
Type de montage -
Emballage / Étui -
Emballage du dispositif du fournisseur -

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