GD25LB128EFIRR

GD25LB128EFIRR - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit

Le GD25LB128EFIRR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haut de gamme de 128 mégabits, conçu pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Ce composant de mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge de l'interface Quad SPI, fonctionnant à des vitesses allant jusqu'à 133 MHz tout en maintenant une consommation d'énergie ultra-faible dans la plage de 1,65 V à 2 V.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (16 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et de la configuration.
• Transfert de données rapide : les modes d’interface SPI, Quad I/O, QPI et DTR permettent des opérations de lecture/écriture rapides à une fréquence d’horloge de 133 MHz.
• Large plage de températures : La température de fonctionnement de qualité industrielle, de -40 °C à 85 °C, garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
• Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
• Boîtier compact pour montage en surface : son format 16-SOIC (largeur de 7,50 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Qualité GigaDevice authentique : composants authentiques garantis avec assistance et traçabilité complètes tout au long du cycle de vie.

Applications idéales

Idéal pour l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques de périphérie IoT nécessitant un stockage de programmes non volatils et la conservation des données.

Spécifications techniques

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Ressources et assistance techniques

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