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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LB256E3IRR

Prix habituel €2,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

GD25LB256E3IRR - Mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbit

Le GD25LB256E3IRR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 256 Mbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués critiques. Ce composant de mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à son interface SPI Quad E/S et sa fréquence d'horloge de 166 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 6 ns garantit une récupération rapide des données.
  • Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente.
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
  • Conception basse consommation : une tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique.
  • Encombrement réduit : le boîtier 48-WLCSP est idéal pour les conceptions à espace restreint.
  • Longue durée de vie : l'engagement de GigaDevice en faveur d'une disponibilité prolongée des produits

Spécifications techniques

Applications

Cette puce de mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les objets connectés. La technologie SLC (Single-Level Cell) garantit une rétention des données et une endurance supérieures.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25LB
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70 µs, 1,2 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-XFBGA, WLCSP
Emballage du dispositif du fournisseur 48-WLCSP

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