GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB256E3IRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD25LB256E3IRR - Mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbit
Le GD25LB256E3IRR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 256 Mbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués critiques. Ce composant de mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à son interface SPI Quad E/S et sa fréquence d'horloge de 166 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 6 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente.
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Conception basse consommation : une tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique.
- Encombrement réduit : le boîtier 48-WLCSP est idéal pour les conceptions à espace restreint.
- Longue durée de vie : l'engagement de GigaDevice en faveur d'une disponibilité prolongée des produits
Spécifications techniques
Applications
Cette puce de mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les objets connectés. La technologie SLC (Single-Level Cell) garantit une rétention des données et une endurance supérieures.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 1,2 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-XFBGA, WLCSP |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-WLCSP |

GD25LB256E3IRR.pdf