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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB256EBJRY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD25LB256EBJRY - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 256 Mbits
La mémoire Flash NOR GD25LB256EBJRY de GigaDevice Semiconductor offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués critiques. D'une capacité de 256 Mbits (32 Mo x 8), elle est dotée d'une interface SPI Quad I/O avancée avec prise en charge DTR, permettant des transferts de données à haut débit à une fréquence d'horloge de 166 MHz et fonctionnant sous une tension ultra-basse (1,65 V à 2 V).
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
- Interface avancée : les modes SPI Quad I/O, QPI et DTR offrent des options de communication flexibles et à large bande passante.
- Fonctionnement à faible consommation : la tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Plage de températures étendue : son fonctionnement de -40 °C à 105 °C le rend idéal pour les environnements automobiles, aérospatiaux et industriels.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 24 TBGA (6 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
- Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 140 µs et de pages de 2 ms accélèrent l'enregistrement des données et les mises à jour du micrologiciel
Applications idéales
Idéal pour les contrôleurs de vol aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les systèmes d'automatisation industrielle, le stockage de micrologiciels pour dispositifs médicaux, l'infrastructure de télécommunications et le stockage du code de démarrage des systèmes embarqués.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 2 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
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