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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB256EFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25LB256EFIRR - Circuit intégré de mémoire flash SPI NOR haute performance de 256 Mbit
La GD25LB256EFIRR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 256 Mbit (32 Mo x 8) haut de gamme dotée d'interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR avancées. Conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable, cette mémoire Flash offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 166 MHz et son temps d'accès ultra-rapide de 6 ns. Fonctionnant dans une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, avec une alimentation basse tension (1,65 V à 2 V), la GD25LB256EFIRR est idéale pour les applications automobiles, de contrôle industriel, IoT et critiques. Disponible en boîtier CMS SOIC 16 broches, conditionnée en bande et bobine pour une production à grande échelle.
Ressources connexes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 1,2 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
GD25LB256EFIRR.pdf