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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LB256FWIGR

Prix habituel €1,95
Prix habituel Prix promotionnel €1,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

GD25LB256FWIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 256 Mbit

La GD25LB256FWIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire flash NOR série haute performance de 256 Mbits (32 Mo) conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage de données fiable et non volatil. Ce circuit intégré flash avancé est doté d'une interface Quad SPI avec prise en charge du mode QPI, permettant des débits de transfert de données jusqu'à 133 MHz pour les applications industrielles, automobiles et IoT les plus exigeantes.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 256 Mbits organisée en 32 Mo x 8, idéale pour le stockage de firmware, l’enregistrement de données et l’exécution de code.
  • Performances ultra-rapides : une fréquence d’horloge de 133 MHz et un temps d’accès de 6 ns garantissent un démarrage rapide et un fonctionnement système réactif.
  • Interface avancée : les modes SPI Quad I/O et QPI offrent un débit supérieur pour les applications gourmandes en bande passante.
  • Fonctionnement à faible consommation : la tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à +85 °C garantit une fiabilité même dans des conditions environnementales difficiles.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Le GD25LB256FWIGR est conçu pour les applications critiques, notamment le stockage de firmware embarqué, le code BIOS/UEFI, la conservation des données de configuration, les systèmes de contrôle industriel, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les plateformes de calcul en périphérie de réseau (Edge Computing). Sa haute densité, ses temps d'accès rapides et sa large plage de températures en font le choix privilégié des ingénieurs concevant les systèmes embarqués de nouvelle génération.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25LB
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 110 µs, 1,2 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (5x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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