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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LB32ES2GR

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Recycling Electronic Components

GD25LB32ES2GR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances

La mémoire Flash NOR GD25LB32ES2GR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 32 Mbits (4 Mo x 8) conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Dotée d'interfaces SPI et d'E/S quadruples avancées avec prise en charge QPI, cette mémoire Flash offre des performances exceptionnelles avec des fréquences d'horloge jusqu'à 133 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 6 ns. Fonctionnant de manière fiable sur une large plage de températures allant de -40 °C à 105 °C, la GD25LB32ES2GR garantit des performances constantes même dans des environnements difficiles, tout en maintenant une faible consommation d'énergie grâce à une plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V.

Spécifications techniques

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns permettent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Options d'interface flexibles : la prise en charge des interfaces SPI, Quad I/O et QPI offre une connectivité polyvalente pour diverses architectures système.
  • Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures étendue (-40 °C à 105 °C) garantit un fonctionnement stable dans les environnements automobiles, aérospatiaux et industriels.
  • Faible consommation d'énergie : la tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
  • Boîtier compact pour montage en surface : le format 8-SOP (largeur de 5,30 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions à espace restreint.
  • Stockage non volatil : la technologie NOR Flash SLC garantit la conservation des données même sans alimentation, idéale pour le stockage du firmware, du code de démarrage et de la configuration.
  • Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms accélèrent les opérations de programmation.
  • Conditionnement pratique : le format bande et bobine simplifie les processus d'assemblage automatisés et la fabrication en grande série

Applications typiques

La GD25LB32ES2GR est idéale pour le stockage du BIOS/firmware, les systèmes embarqués, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, l'électronique grand public et les applications d'enregistrement de données nécessitant une mémoire non volatile fiable avec des temps d'accès rapides.

Garantie de qualité et d'authenticité

HQICKEY fournit exclusivement des composants GigaDevice authentiques, avec une traçabilité complète et une garantie constructeur. Chaque composant fait l'objet d'un contrôle qualité rigoureux afin de garantir son authenticité et sa conformité aux spécifications.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25LB
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP

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