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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB32ESIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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La GD25LB32ESIGR est une mémoire Flash NOR 32 Mbit haute performance de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash de qualité industrielle est dotée d'interfaces SPI et Quad I/O, offrant des débits de transfert de données rapides jusqu'à 133 MHz et fonctionnant sous une tension d'alimentation ultra-basse de 1,65 V à 2 V. Elle est idéale pour les applications automobiles, l'automatisation industrielle, l'IoT et l'électronique grand public où l'encombrement et la consommation d'énergie sont essentiels.
Principales caractéristiques et avantages
La mémoire GD25LB32ESIGR offre une fiabilité exceptionnelle grâce à sa technologie FLASH-NOR SLC (Single-Level Cell), garantissant l'intégrité des données sur 100 000 cycles de programmation/effacement. Son boîtier CMS SOIC 8 broches (largeur de 5,30 mm) offre un encombrement réduit, idéal pour les circuits imprimés à espace restreint. Avec des temps d'accès de seulement 6 ns et une programmation de page en 2,4 ms, cette solution mémoire répond aux exigences de vos applications embarquées.
Applications
- Systèmes électroniques automobiles et ADAS
- Contrôle et automatisation industriels
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
- Électronique grand public et objets connectés
- Dispositifs et instruments médicaux
- Stockage du firmware et exécution du code
Qualité et conformité
Ce composant GigaDevice authentique est conforme à la norme RoHS et bénéficie d'une garantie constructeur complète. Conçu pour fonctionner de manière fiable dans une plage de températures industrielles allant de -40 °C à 85 °C, le GD25LB32ESIGR est performant dans les environnements les plus exigeants.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
GD25LB32ESIGR.pdf