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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB32EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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GD25LB32EWIGR - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances
La GD25LB32EWIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit (4 Mo x 8) haut de gamme, conçue pour les applications à haute fiabilité. Ce composant authentique intègre des interfaces Quad I/O et QPI avancées, offrant des performances exceptionnelles à des fréquences d'horloge allant jusqu'à 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz avec un temps d'accès de 6 ns assure une récupération rapide des données.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie.
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
- Performances d'écriture rapides : cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms.
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, l'électronique grand public et les applications de stockage de micrologiciels nécessitant une mémoire non volatile fiable avec des capacités de lecture/écriture rapides.
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Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
| RoHS |  |
GD25LB32EWIGR.pdf