-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB512MEBIRY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
GigaDevice GD25LB512MEBIRY - Mémoire Flash SPI NOR 512 Mbit
La mémoire flash GD25LB512MEBIRY de GigaDevice Semiconductor est une mémoire flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications, du médical et de l'électronique grand public. Cette mémoire flash non volatile est dotée d'interfaces Quad I/O et QPI avec prise en charge DTR, offrant un stockage de données fiable et des performances de lecture/écriture rapides jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Haute densité : l'organisation de la mémoire de 512 Mbit (64 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, le code et les données.
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour un accès rapide aux données
- Faible consommation : plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimisée pour les applications sensibles à la consommation.
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels et automobiles.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 24-TFBGA (6 x 8 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
- Fiabilité éprouvée : la technologie NAND SLC garantit une longue durée de vie et l'intégrité des données.
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et l'électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une disponibilité et une traçabilité à long terme.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont sujettes aux fiches techniques du fabricant. Contactez-nous pour obtenir la documentation relative à la conformité RoHS/REACH, les engagements en matière de cycle de vie et les informations de traçabilité.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
GD25LB512MEBIRY.pdf