-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB512MEFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
GD25LB512MEFIRR - Mémoire Flash NOR haute performance de 512 Mbits
La GD25LB512MEFIRR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR 512 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Dotée d'une interface d'E/S SPI Quad avancée avec prise en charge DTR et d'une fréquence d'horloge de 133 MHz, cette mémoire offre des performances exceptionnelles dans un boîtier CMS 16 broches compact.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 512 Mbits (64 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et l’exécution du code.
- Interface rapide : la prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 133 MHz garantit un accès et un transfert de données rapides.
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise la consommation d’énergie pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
- Plage de températures industrielles : sa température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C la rend idéale pour les environnements difficiles.
- Technologie NOR fiable : la technologie SLC FLASH offre une endurance et une conservation des données supérieures.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 16-SOIC (largeur de 7,50 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long terme.
Pourquoi choisir HQICKEY ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants GigaDevice 100 % authentiques, avec traçabilité complète, assistance technique et livraison internationale. Nos services à valeur ajoutée comprennent l'assistance à l'intégration, la gestion du cycle de vie et des options d'emballage personnalisées pour répondre à vos besoins spécifiques.
Spécifications techniques complètes
Besoin d'aide pour l'intégration, les références croisées ou les tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe technique pour bénéficier d'une assistance spécialisée.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
GD25LB512MEFIRR.pdf