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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LB512MEYIGR

Prix habituel €3,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

GD25LB512MEYIGR - Mémoire Flash NOR SPI 512 Mbit

La GigaDevice GD25LB512MEYIGR est une mémoire Flash NOR SPI haute performance de 512 Mbit (64 Mo x 8) de la série GD25LB. Conçue pour offrir fiabilité et rapidité, cette mémoire Flash non volatile est dotée d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge maximale de 133 MHz, ce qui la rend idéale pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications, du médical et de l'électronique grand public.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité de 512 Mbits : l’organisation 64 Mo x 8 offre une capacité suffisante pour les applications de microprogramme, de copie de code et d’enregistrement de données.
  • Performances à haute vitesse : la prise en charge des interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d’horloge de 133 MHz permet un accès rapide aux données et une réactivité système élevée.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V réduit la consommation d’énergie, idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantissant des performances fiables dans les environnements automobiles et industriels difficiles.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6x8) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions à espace restreint.
  • Endurance accrue : la technologie NAND à cellule unique (SLC) offre une fiabilité supérieure et une durée de vie plus longue que les alternatives MLC.
  • Conformité globale : conforme aux normes RoHS/REACH avec une traçabilité complète pour un déploiement mondial

Applications cibles

Le GD25LB512MEYIGR est spécialement conçu pour les applications critiques nécessitant une fiabilité élevée et un support à long terme :

  • Automobile : stockage du micrologiciel de l’ECU, systèmes ADAS, infodivertissement, combinés d’instruments
  • Industrie : automates programmables, automatisation d’usine, robotique, systèmes IHM
  • Télécommunications : Équipements réseau, stations de base, routeurs, commutateurs
  • Médical : Équipements de diagnostic, systèmes de surveillance des patients, imagerie médicale
  • IoT et systèmes embarqués : capteurs intelligents, dispositifs de calcul en périphérie, enregistreurs de données, stockage de microprogrammes
  • Électronique grand public : décodeurs, appareils domotiques, objets connectés

Pourquoi choisir le GigaDevice GD25LB512MEYIGR ?

GigaDevice Semiconductor est un fournisseur mondial de premier plan de solutions de mémoire, reconnu pour son expertise sur les marchés de l'automobile et de l'industrie. La puce GD25LB512MEYIGR associe une technologie Flash NOR SPI de pointe à des normes de qualité rigoureuses, garantissant ainsi :

  • Disponibilité à long terme des produits et assistance tout au long de leur cycle de vie pour une conception en toute confiance
  • Documentation technique complète et notes d'application du fabricant
  • Traçabilité complète de la chaîne d'approvisionnement pour l'assurance qualité et la conformité
  • Des prix compétitifs sans compromis sur les performances ni la fiabilité

Spécifications techniques complètes

Informations de commande

Référence : GD25LB512MEYIGR
Conditionnement : Bande et bobine (TR)
Quantité minimale de commande : nous contacter pour plus d’informations.
Délai de livraison : La disponibilité des stocks varie – veuillez nous contacter pour connaître l’état actuel des stocks.

Ressources techniques

Pour obtenir des spécifications techniques détaillées, des diagrammes de synchronisation, des notes d'application et des directives de conception, veuillez vous référer à la fiche technique officielle du GigaDevice et à la documentation technique disponible auprès du fabricant.

Toutes les spécifications peuvent être modifiées sans préavis. Veuillez vérifier les spécifications actuelles auprès du fabricant avant de finaliser votre conception.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25LB
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x8)

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