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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LB512MFFIRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GigaDevice GD25LB512MFFIRR - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 512 Mbits
La mémoire Flash NOR GD25LB512MFFIRR de GigaDevice Semiconductor, d'une capacité de 512 Mbits (64 Mo), offre une fiabilité élevée et intègre une interface SPI quadruple avancée. Elle est conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes, nécessitant des performances de lecture rapides et un fonctionnement sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : modes SPI Quad E/S et QPI pour un débit optimisé
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V idéale pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS SOIC 16 broches (largeur de 7,50 mm) permet un gain de place sur la carte.
- Programmation rapide : temps de cycle d’écriture de mot de 150 µs, temps de cycle d’écriture de page de 1,2 ms
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications idéales
Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le stockage de configuration dans les contrôleurs industriels, les systèmes automobiles, les appareils IoT, les équipements de télécommunications et l'instrumentation médicale.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé – Nous fournissons des composants GigaDevice authentiques avec traçabilité complète, assistance technique et livraison internationale. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos configurations personnalisées de conditionnement en bande et bobine, ou pour obtenir de l'aide à l'intégration.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 150 µs, 1,2 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
| RoHS |  |
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