GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE128EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25LE128EWIGR - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 128 Mbit
La GD25LE128EWIGR est une puce mémoire Flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) de 128 mégabits haut de gamme, fabriquée par GigaDevice Semiconductor. Conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, les objets connectés et les applications automobiles, cette mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge des interfaces Quad I/O et QPI pour un débit de données maximal.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits (16 Mo) avec une organisation de mémoire de 16 M x 8
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns pour une récupération rapide des données.
- Fonctionnement basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
- Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une communication série à haut débit
- Plage de températures industrielles : température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Format compact : boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques supérieures.
- Performances d'écriture fiables : écriture d'un mot en 60 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 2,4 ms
Applications idéales
Idéal pour le stockage du BIOS, les mises à jour du firmware, l'enregistrement de données, les systèmes embarqués, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques de périphérie IoT nécessitant une mémoire non volatile avec une conservation des données à long terme.
Spécifications techniques
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Ressources et assistance techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |

GD25LE128EWIGR.pdf