GD25LE128EWJGR

GD25LE128EWJGR - Mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit

La GD25LE128EWJGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 128 Mbit (16 Mo) haut de gamme, conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Ce composant mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 133 MHz et une consommation d'énergie ultra-faible (tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V), ce qui le rend idéal pour les appareils alimentés par batterie et les conceptions à espace réduit.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : interface SPI Quad E/S 133 MHz et QPI pour un accès rapide aux données (temps d’accès de 6 ns).
• Plage de températures étendue : un fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 105 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
• Conception basse consommation : la tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique pour les applications portables.
• Organisation flexible de la mémoire : architecture 16 M x 8 avec cycles d’écriture de page (2,4 ms) et d’écriture de mot (60 µs) rapides
• Approvisionnement authentique : composants provenant directement des usines, avec traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie

Applications idéales

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de firmware, à l'exécution de code, à l'enregistrement de données et au stockage de configuration dans les systèmes à microcontrôleur, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux et les dispositifs IoT intelligents en périphérie.

Spécifications techniques

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