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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE128EXHEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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GD25LE128EXHEGR - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 128 Mbit
La mémoire Flash NOR SPI GD25LE128EXHEGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 128 Mbit (16 Mo x 8) conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Cette mémoire Flash haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge des interfaces Quad I/O et QPI, et fonctionne à des vitesses allant jusqu'à 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits organisée en 16 Mbits x 8, idéale pour le stockage de firmware, l’enregistrement de données et l’exécution de code.
- Performances ultra-rapides : une fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour un débit et une flexibilité maximaux
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V réduit la consommation d’énergie dans les conceptions alimentées par batterie.
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 125 °C pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 3 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 100 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 4 ms
Spécifications techniques
Applications
Le GD25LE128EXHEGR est parfaitement adapté pour :
- Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Électronique automobile (ADAS, infodivertissement, tableaux de bord)
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Équipements et instruments médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Électronique grand public nécessitant un stockage non volatil fiable
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-FO-USON8 (3x3) |
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