GD25LE255ELIGR

GD25LE255ELIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 256 Mbit

La GD25LE255ELIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash SPI NOR haute performance de 256 Mbits conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés. Ce circuit intégré de mémoire flash avancé offre une fiabilité exceptionnelle et une consommation d'énergie ultra-faible (1,65 V à 2 V), ce qui le rend idéal pour les applications alimentées par batterie et les conceptions à faible consommation énergétique.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des interfaces Quad I/O et QPI pour un accès rapide aux données
• Grande capacité : l'organisation de la mémoire de 256 Mbit (32 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, l'enregistrement des données et l'exécution du code.
• Consommation ultra-faible : la tension de fonctionnement de 1,65 V à 2 V réduit la consommation d’énergie dans les applications portables et embarquées.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
• Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms permettent un stockage de données efficace.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 32-WLCSP permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.

Spécifications techniques

Applications

Le GD25LE255ELIGR est parfaitement adapté pour :

• Systèmes embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Dispositifs IoT et capteurs intelligents
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Appareils électroniques grand public nécessitant un stockage non volatil
• Applications de stockage de firmware et d'exécution de code

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